Ramtron宣布，開始提供以IBM新生產線上製造的首批先期驗證(Pre-qualification)鐵電記憶體(F-RAM)之晶片樣品。FM24C04C和FM24C16C是位元密度分別為4kbit和16kbit的串列5伏特(V) F-RAM產品，可為電子系統提供高性能的非揮發性資料收集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產品具有非揮發性RAM記憶體的性能、無延遲(NoDelay)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
Ramtron宣布，開始提供以IBM新生產線上製造的首批先期驗證(Pre-qualification)鐵電記憶體(F-RAM)之晶片樣品。FM24C04C和FM24C16C是位元密度分別為4kbit和16kbit的串列5伏特(V) F-RAM產品，可為電子系統提供高性能的非揮發性資料收集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產品具有非揮發性RAM記憶體的性能、無延遲(NoDelay)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
Ramtron執行長Eric Balzer表示，FM24C04C和FM24C16C晶片樣品的發表是Ramtron新代工服務專案中的一項重要里程碑。這些先期驗證晶片符合資料表上的所有規格和公司嚴格品質標準的要求，現在這批樣品可以提供給客戶進行產品評估。在測試完成後，我們將會提供其他晶片樣品，包括3伏特的I2C和3伏特及5伏特的序列式周邊介面(SPI)產品。
FM24C04C和FM24C16C採用串列I2C介面，工作電流為100微安培(µA)(100kHz時的典型值)，匯流排運行頻率最高可達1MHz。這些器件適用於工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲和運算應用及其他領域，可直接當作4和16千位元串列電子式可清除可編程唯讀記憶體(EEPROM)記憶體的替代產品。FM24C04C和FM24C16C均採用工業標準的8腳SOIC封裝，工業工作溫度範圍為-40～+85°C。
Ramtron FM24CxxC產品的單位元組(Ｓingle-byte)寫入速度比EEPROM快兩百倍。此外，與之前記錄新資料需要5～10毫秒(ms)寫入延遲的EEPROM器件相比，這些器件具有無延遲特性，能夠以標準匯流排速度寫入。FM24C04C和FM24C16C的寫入週期為一兆(Trillion)個，而EEPROM的則只有一百萬個。與同類的非揮發性記憶體產品相比，他們具有極低的工作電流。
Ramtron網址：www.ramtron.com