國際整流器(IR)擴展其PQFN封裝系列，推出新款的 PQFN 2毫米(mm)×2毫米和PQFN3.3毫米×3.3毫米封裝。新型封裝把兩個採用IR最新矽技術的HEXFET MOSFET整合，為低功率應用，包括智慧型手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、DC馬達和無線電感充電器，以及筆記型電腦、伺服器和網通設備，提供高密度，低成本的解決方案。
國際整流器(IR)擴展其PQFN封裝系列，推出新款的 PQFN 2毫米(mm)×2毫米和PQFN3.3毫米×3.3毫米封裝。新型封裝把兩個採用IR最新矽技術的HEXFET MOSFET整合，為低功率應用，包括智慧型手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、DC馬達和無線電感充電器，以及筆記型電腦、伺服器和網通設備，提供高密度，低成本的解決方案。
新推出的PQFN2x2及PQFN3.3x3.3雙元件在每一個封裝都配備一對功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，提供共汲極或半橋拓撲的靈活性。這些元件利用IR最新的低電壓矽技術 (N和P) 來達致超低損耗。例如IRLHS6276在只有4毫米的範圍內，配備兩個典型通態電阻 (RDS(on)) 均為33mΩ的MOSFET。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示，新型PQFN雙元件適用於開關和直流電(DC)應用，為客戶提供高密度、低成本的解決方案。IR藉著這些新型封裝，提供了一系列低電壓 PQFN產品，包括N-通道和P-通道元件、20伏特和3伏特選擇、4.5伏特或2.5伏特最低驅動功能，以及單或雙元件型號；他們全都擁有極低的RDS (on) 。」
這個雙PQFN系列包括專為在高側負荷開關使用而優化的P-通道元件，提供簡易驅動解決方案。元件封裝的厚度少於1毫米，使其與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令(RoHS)。
IR網址：www.irf.com