德州儀器(TI)宣布推出一款用於配合高密度電源轉換器中金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)與氮化鎵(GaN)功率場效電晶體(FET)使用的低側柵極驅動器(Low-side Gate Driver)。最新LM5114可驅動同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的GaN FET與MOSFET。
德州儀器(TI)宣布推出一款用於配合高密度電源轉換器中金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)與氮化鎵(GaN)功率場效電晶體(FET)使用的低側柵極驅動器(Low-side Gate Driver)。最新LM5114可驅動同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的GaN FET與MOSFET。
LM5114可透過5伏特(V)電源電壓的獨立源極與汲極輸出驅動標準MOSFET與GaN FET。它具有使用較大或並行FET的大功率應用中所需的7.6安培(A)高峰值關斷電流功能。此外，提高的下拉強度(Pull-down Strength)還有助於該元件適當驅動GaN FET。獨立源極與汲極輸出不但省去對驅動器路徑中二極體的需求，而且還可對升降時間實現嚴密控制。
德州儀器已於美國佛羅里達州奧蘭多舉辦的應用電源電子產品大會暨展覽會(APEC)上展示此一可充分發揮GaN FET技術優勢的FET驅動器產品系列，包括LM5114、採用最新micro SMD封裝的LM5113、將於2012年3月推出的接腳相容型4A/8A UCC27511低側柵極驅動器以及其他產品。
德州儀器網址：www.ti.com