因應手機、可攜式醫療設備和媒體播放機等可攜式應用設備的設計和元件工程師對在其設計中加入高效、節省空間的器件的需求，快捷半導體(Fairchild)推出N溝道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用先進的PowerTrench製程技術，具有更低的RDS(ON)，更高的效率，並可延長電池壽命。該公司的FDZ192NZ和FDZ372NZ是較小、較薄的晶圓級晶片尺寸封裝N溝道器件，藉由使用先進的晶片級尺寸封裝製程，這些器件能夠顯著地節省電路板空間，滿足可攜式應用至關重要的要求。
因應手機、可攜式醫療設備和媒體播放機等可攜式應用設備的設計和元件工程師對在其設計中加入高效、節省空間的器件的需求，快捷半導體(Fairchild)推出N溝道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用先進的PowerTrench製程技術，具有更低的RDS(ON)，更高的效率，並可延長電池壽命。該公司的FDZ192NZ和FDZ372NZ是較小、較薄的晶圓級晶片尺寸封裝N溝道器件，藉由使用先進的晶片級尺寸封裝製程，這些器件能夠顯著地節省電路板空間，滿足可攜式應用至關重要的要求。
這些先進的WL-CSP金屬氧化物半導體場效電晶體代表著封裝技術的重大突破，使得器件能夠結合出色的熱轉移特性、超薄封裝、低柵極電荷和低RDS(ON)特性，並確保在低至1.5伏特的VGS 下達到RDS(ON) 額定值。這些器件具有大於2200伏特的HBM ESD保護等級。
FDZ192NZ採用厚度僅為0.65毫米的1.5毫米×1.0毫米封裝；FDZ372NZ採用1.0毫米×1.0毫米封裝，具有0.4mm厚度，相較於尺寸為1.6毫米×1.6毫米最接近的同類器件，FDZ192NZ的體積縮小了41%，而FDZ372NZ則縮小了61%，高度降低了40%。FDZ192NZ和FDZ372NZ是快捷半導體豐富的先進金屬氧化物半導體場效電晶體產品系列中的一部分，這些器件能夠滿足市場對用於充電、負載切換、DC-DC及升壓應用的緊湊的、薄型、高性能金屬氧化物半導體場效電晶體器件的需求。
快捷半導體網址：www.fairchildsemi.com