直流對直流(DC-DC)電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用以及伺服器的次級同步整流應用的設計人員，均需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的金氧半場效電晶體(MOSFET)元件，以期提高設計的效率。
直流對直流(DC-DC)電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用以及伺服器的次級同步整流應用的設計人員，均需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的金氧半場效電晶體(MOSFET)元件，以期提高設計的效率。
快捷(Fairchild)開發出N通道PowerTrench MOSFET元件FDMS86500L，該元件之設計可大幅減低傳導損耗和開關節點振鈴雜訊(Switch Node Ringing)，同時提升DC-DC轉換器的整體效率。
此元件是採用業界標準5毫米(mm) × 6毫米 Power 56封裝的元件，它結合先進的封裝技術和矽技術，可大幅降低導通阻抗RDS(ON) (2.5毫歐姆(mΩ) @ VGS = 10伏特(V), ID=25安培(A)，帶來更低的傳導損耗。該元件使用遮罩閘極功率(MOSFET)技術，提供極低的開關損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結合其低傳導損耗特點，能夠為設計人員帶來更高的功率密度以應需求。
元件本身具有更出色的品質因子(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期滿足效率標準和法規的要求。元件的其他特性包括採用下一代增強型自體二極體 (Body Diode)技術以提供軟恢復功能；MSL1穩固封裝設計；通過100% UIL測試，同時符合危害性物質限制指令(RoHS)環保標準。
快捷網址：www.fairchildsemi.com