奇夢達(Qimonda)宣布先進的技術藍圖，此技術可達30奈米世代，並在晶圓尺寸可至4F²。該公司創新Buried Wordline技術結合高效能、低功耗及小晶片尺寸特性，再次拓展其多元化產品組合。奇夢達目前推出此尖端技術的65奈米製程，計畫在2008年下半年開始生產1Gbit DDR2產品。
奇夢達(Qimonda)宣布先進的技術藍圖，此技術可達30奈米世代，並在晶圓尺寸可至4F²。該公司創新Buried Wordline技術結合高效能、低功耗及小晶片尺寸特性，再次拓展其多元化產品組合。奇夢達目前推出此尖端技術的65奈米製程，計畫在2008年下半年開始生產1Gbit DDR2產品。
奇夢達的目標是於2009年下半年開始量產46奈米Buried Wordline DRAM技術，與58奈米溝槽式技術相比，此46奈米的Buried Wordline DRAM技術會提供每晶圓超過兩倍以上的位元。並預計於2009及2010會計年度，將由自有資金來做為製程轉換的投資，此一次性約1億歐元的投資，將運用於轉換現有的溝槽產能至Buried Wordline技術。奇夢達運用Buried Wordline的技術和精簡製程，加上主流的堆疊式電容，使得這項製程轉換僅需較低的投資金額。
奇夢達網址：www.qimonda.com