格羅方德推出2.5D 高頻寬記憶體解決方案

此2.5D ASIC解決方案包含一個縫合載板中介層，用以克服微影技術的限制，以及一個和Rambus作研發的多通道 HBM2 PHY，每秒可處理 2Tbps。該解決方案以14奈米 FinFET技術展示，將整合至GF新一代7奈米FinFET製程技術的FX-7 ASIC設計系統中。

格羅方德產品開發副總 Kevin O'Buckley表示，隨著近年來互連與封裝技術出現大幅進展，晶圓製程與封裝技術間的界線已趨模糊。將2.5D封裝技術整合至ASIC設計中，能帶來突破性的效能提升，而這也再一次展現了GF的技術能力。這項進展讓該公司能夠從產品設計開始一路到製造與測試，以一站式、端對端的形式支援客戶。

Rambus記憶體PHY目標為在低延遲與高頻寬要求的系統中，處理高端網路及資料中心的高密集運算。PHY 符合 JEDEC(固態技術協會JESD235)標準，支援的數據傳輸率高達2Gbit/s，整體頻寬可達2Tbit/s。

GF充分利用在FinFET製成技術的量產經驗，讓FX-14及FX-7成為完整的ASIC設計解決方案。FX-14及FX-7的功能化模組以業內最廣、最深的智慧財產(IP)組合為基礎，得以為新一代有線通訊/5G無線聯網、雲端/資料中心伺服器、機器學習/深度神經網路、汽車、太空/國防等應用提供解決方案。