羅姆(ROHM)推出以碳化矽(SiC)為材料，擁有低損耗、高耐壓特性的蕭特基二極體(SBD)功率元件SCS110A系列。相較於其他同類產品，該系列在順向電壓及導通阻抗方面獲得改善，適合使用在電動車(EV)、油電混合車(HEV)與空調等須要進行功率轉換的逆變器(Inverter)、轉換器(Converter)及功率因數校正(PFC)電路等多種用途。
羅姆(ROHM)推出以碳化矽(SiC)為材料，擁有低損耗、高耐壓特性的蕭特基二極體(SBD)功率元件SCS110A系列。相較於其他同類產品，該系列在順向電壓及導通阻抗方面獲得改善，適合使用在電動車(EV)、油電混合車(HEV)與空調等須要進行功率轉換的逆變器(Inverter)、轉換器(Converter)及功率因數校正(PFC)電路等多種用途。
半導體元件在功率轉換時的損耗問題逐漸被重視，從環保的觀點，也促使廠商研發相較於矽材料，損耗更低的碳化矽功率元件。ROHM繼碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)的試驗後，碳化矽蕭特基二極體及其所構成的電源模組也接著試驗成功，同時並完成碳化矽元件及模組的研發，在2005年開始有工程樣品出貨，並從客戶的資訊回饋改善可靠度及製程。而為確保能有高品質碳化矽晶圓供應，採取了一貫化製造流程。
SCS110A系列的反向回復時間(Trr)僅15奈秒(ns)，比一般矽材質快速回復二極體(FRD)35～50奈秒的表現相比，不但大幅縮短回復時間，回復時的損耗也降到僅三分之一。若使用在逆變器、轉換器與PFC電路時，損耗可大幅降低，發熱量也隨之減少。與矽材質的快速回復二極體相比，其特性為隨溫度變化極少，能使用較小的散熱片，相較於其他同類產品，則具有Trr特性改善、晶片尺寸縮小15%等優點。
在量產化方面，蕭特基二極體接觸屏障的均勻性，及不需高溫處理的高阻抗防護環(Guard Ring)層成形等技術瓶頸也獲得解決，順利完成一貫化生產流程。與之前量產的同樣元件相比，藉由降低操作時的阻抗值，其順向電壓降低與溫度特性更優良，並大幅提升性能。
ROHM將碳化矽元件視為次世代半導體的核心技術，並致力於蕭特基二極體的更高耐壓化、強化大電流化製品的產品陣容，搭載MOSFET及碳化矽元件的智慧型電源模組(IPM)等碳化矽相關產品的產品陣容擴充及量產化。
ROMH網址：www.rohm.com