美國國家半導體(NS)推出業界首款6～100伏特的電流模式降壓控制器LM5116，適用於電訊設備、汽車電子系統及工業控制系統，並具如效能佳、設計靈活及易於使用優點，因此適用於直流/直流電源供應系統。該晶片為美國國家半導體一系列同步降壓控制器最新型號產品，輸入電壓範圍更廣闊，且負載電流可靈活控制。
美國國家半導體(NS)推出業界首款6～100伏特的電流模式降壓控制器LM5116，適用於電訊設備、汽車電子系統及工業控制系統，並具如效能佳、設計靈活及易於使用優點，因此適用於直流/直流電源供應系統。該晶片為美國國家半導體一系列同步降壓控制器最新型號產品，輸入電壓範圍更廣闊，且負載電流可靈活控制。
LM5116晶片適用於高電壓或輸入供電電壓範圍較廣的降壓穩壓系統，其採用的電流模式控制技術為模擬電流模式(ECM)控制技術，由美國國家半導體獨自開發，並已取得專利，其優點為可減少雜訊對脈衝寬度調變(PWM)電路干擾，且以較小占空比作業的高輸入電壓系統能穩定控制其占空比。此外，這款晶片具過熱停機、可設定軟啟動、頻率同步、每一周期電流限幅及可調節線路欠壓鎖定(UVLO)等功能。
LM5116晶片的輸入電壓範圍極為廣闊，最高可達100伏特，且可設定1.215～80伏特範圍內的輸出電壓。由於PWM控制電路對雜訊的敏感度較低，因此可確保占空比需極小的高輸入電壓系統以穩定作業，若以500kHz的頻率作業，LM5116晶片可利用其模擬電流斜波，將輸入/輸出電壓降壓比提高至20:1以上。用戶可自行設定最高可達1MHz作業頻率，且可將開關頻率調校至與外置時鐘訊號同步，靜態電流低的睡眠模式可暫時使控制器失效，睡眠模式耗用10毫安培的電流，因此對於以電池供電的系統而言，可減少關機時的耗電量。此外，該晶片還設有用戶可自由選用的二極體模擬模式，以便系統可在低負載的作業情況下採非連續電感電流的作業模式以提高效率，只要同步MOSFET能使其二極體模擬功能逐漸失效，系統便可控制整個啟動過程，確保供電時負載已預先偏壓。這款晶片還設有可設定軟啟動、輸入欠壓鎖定及電壓追蹤等功能，讓工程師可加強控制整個啟動過程。
美國國家半導體網址：www.national.com