安華高(Avago)宣布推出ACNW261L超低耗電10MBd數位式互補式金屬氧化物半導體(CMOS)光耦合器，與市場上其他10MBd光耦合器產品比較，ACNW261L耗電更低，並針對高電壓絕緣需求設計。
安華高(Avago)宣布推出ACNW261L超低耗電10MBd數位式互補式金屬氧化物半導體(CMOS)光耦合器，與市場上其他10MBd光耦合器產品比較，ACNW261L耗電更低，並針對高電壓絕緣需求設計。
在可再生能源發電系統、工業、醫療設備與惡劣環境下使用的電氣設備應用中，可能會有以更低耗電與高絕緣電壓支援系統內部10MBd速度通訊的需求。ACNW261L是目前市場上耗電最低的10MBd光耦合器，強化絕緣工作電壓達1414VPEAK，在-40～105oC的工作溫度範圍內電流消耗低於1.5毫安培(mA)，並支援3.3伏特(V)與5V電源工作，LED輸入電流在設計上更低達4mA。
ACNW261L輸入到輸出絕緣電壓為5000VRMS，具備強化絕緣能力，這款新光耦合器符合IEC 60747-5-5 1414VPEAK工作電壓要求，內部電氣間隙為1mm，外部爬電距離為10毫米(mm)，外部電氣間隙為9.6毫米。透過加入內部法拉第屏蔽(Faraday shield)，ACNW261L在1000V共模電壓下，擁有最低20kV/µs，以及典型35kV/µs的卓越共模瞬變抑制能力。
安華高網址：www.avagotech.com