恆憶(Numonyx)與英特爾(Intel)宣佈相變化記憶體(PCM)研究的關鍵性突破，此項非揮發性記憶體技術結合了現今多種類型記憶體的優點，研究人員也首度展示可於單一晶片堆疊多層PCM陣列的64Mb測試晶片，對於隨機存取非揮發性記憶體及儲存應用而言，此一成果也為發展容量更高、功耗更低且體積更小的記憶體裝置奠定重要基礎。
恆憶(Numonyx)與英特爾(Intel)宣佈相變化記憶體(PCM)研究的關鍵性突破，此項非揮發性記憶體技術結合了現今多種類型記憶體的優點，研究人員也首度展示可於單一晶片堆疊多層PCM陣列的64Mb測試晶片，對於隨機存取非揮發性記憶體及儲存應用而言，此一成果也為發展容量更高、功耗更低且體積更小的記憶體裝置奠定重要基礎。
此為恆憶與英特爾長期合作研究的成果，該計劃著重於研究多層式或堆疊式PCM單元陣列，恆憶與英特爾雙方的研究人員目前已展示PCMS(相變化記憶體及開關)的垂直式整合記憶體單元，PCMS包含一個PCM元件，此元件與全新的堆疊雙向閾值開關堆疊於交叉點陣列中，其堆疊PCMS陣列的能力有助擴充記憶體容量，同時維持PCM的效能特性，這對於傳統的記憶體技術而言是相當不易克服的挑戰。
記憶體單元是由儲存元件及選擇器堆疊而成，而多個單元又組成記憶體陣列，恆憶與英特爾的研究人員現已利用薄膜雙終端OTS做為選擇器，以符合PCM擴充時的實體及用電需求，透過薄膜PCMS的相容性，多層的交叉點記憶體陣列目前已成為可能，當整合並嵌入交叉點陣列後，多層式陣列便可結合CMOS電路的解碼、偵測及邏輯功能。
更多關於記憶體單元、交叉點陣列、實驗及成果的資訊登載於A Stackable Cross Point Phase Change Memory這份共同文件中，並且將於2009年12月9日在美國馬里蘭州巴爾的摩舉行的2009年國際電子裝置會議(International Electron Devices Meeting)中發表，此文件由恆憶與英特爾雙方的技術人員共同完成，並將由英特爾資深首席工程師DerChang Kau代表發表。
恆憶網址：www.numonyx.com
英特爾網址：www.intel.com/pressroom