意法半導體(ST)之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極－漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，質量因數(Figure of Merit, FoM)相較上一代同類產品提升40%。
新推出的MOSFET利用ST的STPOWER Strife F8先進技術，導入氧化物填充溝槽製程，包含極低的導通損耗和低閘極電荷於一身，提供高效的開關性能。因此，當STL120N10F8的最大導通電阻RDS(on)為4.6mΩ(在VGS=10V時)，最高運行頻率可達到600kHz。
STripFET F8技術亦確保輸出電容值減少漏極和源極間的尖峰電壓，並最大程度減少充放電的能量浪費。此外，此款MOSFET之本體二極體的柔和切換特性更高。這些進化之處可以減少電磁輻射，簡化最終系統的合規性測試，並確保電磁相容性(Electromagnetic Compatibility, EMC)符合適用的產品標準。
STL120N10F8擁有卓越的效能和較低的電磁輻射，可以強化硬開關和軟開關拓撲的電源轉換性能。此外，這款產品亦是首款完全符合工業級規格的STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET，適用於馬達控制、電信和電腦系統的電源及轉換器、LED和低壓照明，以及消費性電器和電池供電裝置。
新款MOSFET還有其他優勢，其中包括低的閘極閾值電壓(VGS(th))差，此優勢在強電流應用中很有幫助，還可以簡化多個功率開關在大電流應用的並聯設計。新產品的穩定性非常高，能夠承受10µs的800A短路脈衝電流衝擊。
STL120N10F8採用PowerFLAT5x6封裝，現已全面量產。