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2016-10-31
氮化鎵(GaN)的材料屬性讓電源開關得以實現令人興奮且有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移電晶體(HEMT)是一種場效應電晶體(FET)，可大幅降低導通電阻，其開關頻率要比同等大小的矽功率電晶體快上許多，這些優勢使得功率轉換的效能更高，並且能夠更加有效地使用空間。GaN可以安裝在矽基板上，充分利用矽製造能力，並降低成本。然而，在使用新技術時，需要驗證這項技術的可靠性。因此本文主題為GaN裝置品質鑑定。
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