SiC與GaN寬能隙功率元件在電源設計的應用,正邁入快速成長期。從電動車、充電樁、儲能、再生能源,到AI資料中心與高功率伺服器電源,產業對高效率、高功率密度與低損耗電源轉換的需求持續升高,使寬能隙元件從前瞻技術逐漸進入產品設計與量產導入階段。近期國際功率半導體供應鏈也持續投入SiC產能、GaN電源架構與高壓直流配電等技術布局,顯示寬能隙功率元件已成為新一代能源轉換與高效運算基礎設施的核心設計課題。
SiC/GaN的導入同步放大了應用開發端的設計關卡。高速切換雖可降低損耗、縮小磁性元件並提升功率密度,卻也帶來Gate Driver設計、EMI/EMC、短路保護、熱路徑設計與動態測試等挑戰;不同應用也有不同取捨,例如車用與充電系統重視高壓、高溫與長期可靠度,AI伺服器與資料中心電源重視轉換效率與功率密度,工業與儲能系統則更重視耐用度、保護設計與維運穩定性。本次論壇將從元件選型、驅動控制、測試驗證到高可靠度電路保護,協助工程團隊建立完整設計導入思維,降低開發風險,加速高效率電源產品落地。
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議題 |
| 13:00~13:30 |
報到與開場 |
| 13:30-14:10 |
從氮化鎵功率元件進軍AI時代兩大戰場
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| 14:10-14:50 |
從元件到系統:SiC/GaN功率電子測試驗證與量產測試挑戰
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| 14:50-15:10 |
中場休息與交流
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| 15:10-15:50 |
打造高可靠度SiC電源系統
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| 15:50-16:30 |
從AI到Physical AI 碳化矽技術找到新藍海
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*主辦單位保留變更議程權利,議程變更恕不另行通知。
