【實體活動】7月14日 寬能隙功率元件應用設計論壇

活動介紹

SiC與GaN寬能隙功率元件在電源設計的應用,正邁入快速成長期。從電動車、充電樁、儲能、再生能源,到AI資料中心與高功率伺服器電源,產業對高效率、高功率密度與低損耗電源轉換的需求持續升高,使寬能隙元件從前瞻技術逐漸進入產品設計與量產導入階段。近期國際功率半導體供應鏈也持續投入SiC產能、GaN電源架構與高壓直流配電等技術布局,顯示寬能隙功率元件已成為新一代能源轉換與高效運算基礎設施的核心設計課題。

SiC/GaN的導入同步放大了應用開發端的設計關卡。高速切換雖可降低損耗、縮小磁性元件並提升功率密度,卻也帶來Gate Driver設計、EMI/EMC、短路保護、熱路徑設計與動態測試等挑戰;不同應用也有不同取捨,例如車用與充電系統重視高壓、高溫與長期可靠度,AI伺服器與資料中心電源重視轉換效率與功率密度,工業與儲能系統則更重視耐用度、保護設計與維運穩定性。本次論壇將從元件選型、驅動控制、測試驗證到高可靠度電路保護,協助工程團隊建立完整設計導入思維,降低開發風險,加速高效率電源產品落地。

參加辦法

活動時間: 2026年7月14日(星期二) 13:00~16:30
活動地點:

集思北科大會議中心感恩廳

活動地址: 台北市大安區忠孝東路三段197號旁億光大樓2樓(忠孝東路與建國南路交叉口)
聯絡信箱: ccm_service@hmg.com.tw
報名方式:

線上報名

報名費用:

全程免費(名額有限,額滿為止)。

注意事項:
  1. 本活動採預先線上報名,報名完成後將由主辦單位進行出席資格審核,與主題及屬性比較符合者為優先考量。通過審核者,系統將於活動兩周前以電子郵件方式陸續寄發報到通知函和簡訊通知,以示您的出席資格,報到時,請熟記報到編號,並請攜帶名片1張。未通過審核者,亦會收到一封婉拒通知信。
  2. 請盡早完成報到手續,主辦單位依現場報到完成順序安排座位,額滿為止。場地額滿後將視現場狀況開放入場,主辦單位保有開放進場與否及現場報名之權利。
  3. 若因不可預測之突發因素,主辦單位得保留議程、講師及內容流程之變更權利。
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活動議程

時間 議題
13:00~13:30 報到與開場
13:30-14:10

氮化鎵功率元件進軍AI時代兩大戰場

14:10-14:50

從元件到系統:SiC/GaN功率電子測試驗證與量產測試挑戰 

14:50-15:10

中場休息與交流

15:10-15:50

打造高可靠度SiC電源系統

15:50-16:30

從AI到Physical AI 碳化矽技術找到新藍海

*主辦單位保留變更議程權利,議程變更恕不另行通知。

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