在雲端運算(Cloud Computing)、電信機房與繪圖需求持續帶動下，記憶體技術發展亦一日千里。日前高速晶片設計技術授權公司Rambus宣布發展出較DDR3更為快速且省電的記憶體，在高速記憶體演進上再下一城。
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| Rambus策略研發總監Michael Ching認為，雲端運算、行動寬頻與高畫質遊戲的誕生，是刺激記憶體朝向更高速邁進的關鍵。 |
Rambus策略研發總監Michael Ching表示，未來的圖形及多核心處理器須要在嚴苛的功耗及散熱限制下達到更高的記憶體效能。因此近期發表的技術，特別突顯該公司XDR及XDR2記憶體架構可達3.2G～7.2Gbit/s的傳輸效率，同時可彈性擴充至10Gbit/s以上。而尤其受到雲端運算的激勵，加上後3G時代的來臨，各界對於高速記憶體的需求隨之水漲船高，都成為帶動超高速記憶體攀升的主因。
Ching透露，該公司近期推出的矽晶片，內含1Gb XDR DRAM裝置及XIO記憶體控制器，不但XIO記憶體控制器的功耗效率較優，且完整記憶體系統能夠以同等的功耗提供高達兩倍以上的頻寬。此外，XIO記憶體控制器的雙型態(Bi-modal)運作，亦可支援XDR DRAM以及其下一代XDR2 DRAM。
XDR2的雙型態XIO記憶體控制器的創新技術包含全差動記憶體架構(FDMA)、FlexLink C/A及Enhanced FlexPhase等。全差動記憶體架構乃透過時脈、資料及指令/位址(C/A)的點對點差動訊號處理提升訊號完整性及效能；FlexLink C/A則減少接腳數並提高可擴充性。Enhanced FlexPhase可達到較高記憶體訊號處理率、簡化布線及電路板設計。
此外，XDR2記憶體架構也包括動態隨機存取記憶體(DRAM)核心的微執行緒處理與16X資料速率，以較低的系統時脈達到極高的資料速率。
Ching說，XDR2記憶體系統採用上述的創新技術，能夠使系統單晶片(SoC)所需的記憶體頻寬達500Gbit/s以上。單一四位元組頻寬且效能為9.6Gbit/s的XDR2 DRAM裝置能夠發揮高達38.4Gbit/s的峰值頻寬，且XDR2架構支援裝置頻寬高達50Gbit/s以上。DDR3之傳輸速率為800M～1.6Gbit/s之間。
由於XDR及XDR2記憶體架構具有這些功能，其效能可延伸適用於廣泛多樣的裝置，諸如多核心運算、圖形、遊戲及消費性電子產品的電路板等。XDR記憶體架構已獲得索尼(Sony)PlayStation3電腦娛樂系統、DLP投影機、Teradici PC-over-IP運算系統及東芝(Toshiba)的Qosmio筆記型電腦與高畫質電視(HDTV)採用。
日前Rambus亦推出新一代聚焦於高頻寬、低功耗的行動記憶體技術，特別符合新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機和可攜式媒體產品等應用需求。