如今，電子業正邁向4G的終點、5G的起點。後者發展上仍有不少進步空間，但可以確定，新一代無線電網路勢必需要更多元件、更高頻率做支撐，可望為晶片商帶來龐大商機--特別是對RF功率半導體供應商而言。對此，市場研究機構Yole Développement指出，RF功率市場近期可望由衰轉盛，並以將近二位數的年複合成長率(CAGR)迅速成長；同時，氮化鎵(GaN)將逐漸取代橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)，成為市場主流技術。
拜電信基站升級、小型基地台逐漸普及所賜，RF功率市場可望脫離2015年以來的低潮，開始蓬勃發展。報告指出，整體市場營收到2022年底則有望暴增75%之多，2016~2022年間CAGR將達9.8%；其中，占電信基礎設施近一半比重的基站、無線回程網路等相關元件，同一時段CAGR各為12.5%、5.3%。再者，鑑於效能較高、體積較小且穩定性較佳，砷化鎵(GaAs)、GaN等固態技術將在國防應用上逐漸取代真空管，提供RF功率元件更多發展機會。Yole預期，此部分營收至2022年將成長20%，2016~2022年間CAGR達4.3%。
技術方面，受與日俱增的資訊流量、更高操作頻率與頻寬等需求驅使，GaN元件使用越來越普遍，正於電信大型基站、雷達/航空用真空管與其它寬頻應用上取代LDMOS元件，現已占據整體20%營收以上。針對未來網路設計，Yole表示，GaN之於載波聚合(CA)、多輸入多輸出(MIMO)等新科技，效能與頻寬上雙雙較LDMOS具優勢。此外，得力於在行動網路產業發展得當，GaAs技術已成熟到能進入市場，可望在國防、有線電視等應用上穩占一席之地。
 |
| 2016~2022年射頻功率元件營收分析 資料來源：Yole Développement(7/2017) |