全球能源需求與碳排放壓力驅動電力半導體技術快速演進。Renesas瑞薩電子近期正式發表4.5代650V GaN FET，強調其D-MODE技術在高功率應用中的優勢，並鎖定電動車、伺服器與儲能市場，挑戰傳統以SiC為主的解決方案。
Renesas GaN部門資深總監Kenny Yim表示，外界常將氮化鎵(GaN)視為快充專用技術，但實際上自2012年起，瑞薩GaN已在伺服器電源與車用OBC中量產使用。此次650V新品能涵蓋從數十瓦到數十千瓦的應用範圍，顯示GaN正加速走向高功率主戰場。
目前市場主流的E-MODE GaN在高溫與大電流條件下存在可靠性瓶頸，而瑞薩的D-MODE GaN則透過專利結構，避免了動態電阻與低閾值電壓問題，實現更高穩定性與更低損耗。Yim直言，只有瑞薩的D-MODE GaN能在大功率應用中量產，這是核心的差異化優勢。
在效能與成本上，4.5代GaN晶片面積縮小14%，導通內阻改善逾10%，整體效能提升20%，並帶來約15%的成本下降。與SiC相比，新品效率可高出0.2個百分點，在99%轉換效率的應用中，能減少20%的能量損耗，對高功率電源設計意義重大。
瑞薩同時完成AEC-Q101車規認證，布局車用馬達驅動、OBC與DCDC轉換器，並整合MCU、驅動晶片及電源控制器，提供完整生態系方案。對於市場定位，Yim強調GaN將專注1200V以下區間，與SiC在超高壓領域形成互補，但在中高壓應用上，GaN具備取代SiC的潛力。
隨著AI伺服器、電動車及儲能需求持續升溫，電力半導體的競爭將進一步加劇。Renesas的650V GaN FET不僅代表第三代半導體的再一次跨越，也預告GaN在高功率市場的全新篇章。