三星(Samsung)日前表示，其位於韓國平澤市的第二條生產線已率先採用極紫外光(EUV)微影技術生產1z奈米製程的16Gb LPDDR5行動DRAM。新型16Gb LPDDR5在傳輸效率及容量上大幅提升，進一步滿足消費市場對於5G以及AI不斷成長的需求。而三星也同時表示，該產線繼DRAM之後，未來也將開始生產下一代V-NAND及代工解決方案。
三星DRAM產品與技術執行副總裁Jung-bae Lee表示，該公司採用1z-nm的16Gb LPDDR5封裝，克服了DRAM繼續向前推進的主要發展障礙。透過為全球智慧手機製造商供應首項16Gb LPDDR5封裝，三星計畫將於2021年進一步提升其於高階行動裝置市場中的地位。與此同時，該公司未來也預計將LPDDR5產品擴展到汽車應用上，滿足該領域針對環境溫度、安全暨可靠性標準的要求。
該款16Gb LPDDR5行動DRAM為首款採用極紫外光光刻技術的記憶體，於現行行動DRAM中可提供較快的速度及容量。在速度方面，其具有6,400Mbps傳輸速率，較現行市場中多數高階行動裝置搭載的12Gb LPDDR5所具備的5,500Mbps傳輸速度快將近16%。若以16GB封裝來看，LPDDR5可於一秒內傳輸10個5GB大小的Full-HD電影或51.2GB的資料。
至於容量方面，由於首度採用1z-nm製程，因此該LPDDR5較前一代產品薄了30%左右，進而使5G手機、多鏡頭智慧手機以及可摺疊裝置可將更多功能整合至設計中；同時，相較過往1y-nm需要8個12Gb及4個8Gb晶片組成，該LPDDR5僅需8個晶片形成16GB封裝便可提供相同容量，進一步簡化封裝設計。
而三星同時也表示，其位於平澤工廠的新2號生產線占地面積超過128,900平方公尺，預計該生產線將成為三星DRAM及下一代V-NAND及代工方案的關鍵製造場域。