英飛凌(Infineon)推出新低飽和電壓VCE(sat)絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)，專為50Hz～20kHz的低切換頻率所設計，適用於不斷電系統(UPS)及太陽光電與焊接系統中的變頻器等應用。全新的L5系列產品採用TRENCHSTOP 5薄晶圓技術，透過額外的載波最佳化，進而降低本身的導通損耗。
英飛凌(Infineon)推出新低飽和電壓VCE(sat)絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)，專為50Hz～20kHz的低切換頻率所設計，適用於不斷電系統(UPS)及太陽光電與焊接系統中的變頻器等應用。全新的L5系列產品採用TRENCHSTOP 5薄晶圓技術，透過額外的載波最佳化，進而降低本身的導通損耗。
相較上一代TRENCHSTOP IGBT產品，新推出的L5系列在25°C時的典型VCE(sat)值為1.05伏特，在NPC 1拓撲中，效能最高可提升0.1%；或在NPC 2拓撲中，效能最高可提升0.3%，達到嶄新的效能境界。結合VCE(sat)的正溫度係數，同時還能維持高效率及直接並聯的特性，成為低於20kHz切換頻率的IGBT的業界標竿。
L5系列產品所採用TRENCHSTOP 5技術，不僅具備低導通損失特性，在25°C時，整體的切換損耗還可低至1.6mJ。基於上述原因，在低切換頻率應用中採用全新推出的低VCE(sat) IGBT，不僅可提高效率、改善可靠性，還能縮減系統尺寸。
英飛凌網址：www.infineon.com