十九家歐洲知名半導體企業和學術機構宣布正式啟動為期3年、3.6億歐元的Places2Be先進技術試產專案，可支援完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(Fully-Depleted Silicon-On-Insulator, FD-SOI)技術的產業化。
十九家歐洲知名半導體企業和學術機構宣布正式啟動為期3年、3.6億歐元的Places2Be先進技術試產專案，可支援完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(Fully-Depleted Silicon-On-Insulator, FD-SOI)技術的產業化。
意法半導體(ST)研發合作計劃總監暨專案協調人François Finck表示，Places2Be專案將加強法國Grenoble和德國Dresden兩個微電子聚集地的生態系統發展，除材料和IP投資產生的直接影響外，還會對歐洲整體產業鏈：大中小型企業、創業公司和研究機構產生正面的影響。
意法半導體被指定為該專案的負責方。Places2Be專案旨在於支援28奈米(nm)及以下技術節點的FD-SOI試產產線的部署以及在歐洲實現規模生產的雙貨源。Places2Be將有助基於FD-SOI平台的歐洲微電子設計生態系統發展，同時探索此項技術向下一個目標(14/10奈米)發展的可能性。FD-SOI是下一代低功耗、高性能半導體製程，可取代傳統CMOS製程和鰭式電晶體(FinFET)技術。首批FD-SOI系統單晶片預計將被用於消費性電子、高性能運算和網路系統。
意法半導體網址：www.st.com