意法半導體(ST)和MACOM合作，宣布已成功製造出射頻矽基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型晶片，且已開始討論進一步擴大研發，加速RF GaN-on-Si產品上市。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來發展潛力。早期的射頻功率放大器(Power Amplifier, PA)主要採用橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor, LDMOS)射頻功率技術，氮化鎵(GaN)可為射頻功率放大器帶來更優異的射頻特性及更高的輸出功率，且可運用在矽晶圓或碳化矽(SiC)晶圓上。然而，高功率應用對SiC晶圓競爭激烈，加上射頻碳化矽基氮化鎵(RF GaN-on-SiC)的半導體製程並非主流，導致其成本可能更高。ST和MACOM正在研發的RF GaN-on-Si技術有望提供具有競爭力的性能，透過將其整合至標準半導體製程中，實現規模經濟效益。
ST的原型晶片和元件已成功達到成本和性能目標，能夠與市面上的LDMOS和GaN-on-SiC技術有效競爭，並且即將進入認證測試與商業化階段，計畫於2022年內達成此里程碑。
ST功率電晶體子產品部總經理兼執行副總裁Edoardo Merli表示，GaN-on-Si技術的性能等級與製程之成熟度現在已經能與LDMOS及GaN-on-SiC競爭，並為無線基礎建設等大規模應用帶來成本效益與供應鏈之優勢。RF GaN-on-Si產品的商業化是ST與MACOM合作的下一個目標，期待能充分開拓此技術的潛力。