Black Sand推出兩條新3G金屬氧化物半導體場效電晶體(CMOS)射頻(RF)功率放大器(PA)產品線，大幅提高了行動電話、平板電腦和數據卡(Datacard) 的可靠性和資料傳輸率。兩條產品線共包含六款涵蓋多個頻段的獨特功率放大器。
Black Sand推出兩條新3G金屬氧化物半導體場效電晶體(CMOS)射頻(RF)功率放大器(PA)產品線，大幅提高了行動電話、平板電腦和數據卡(Datacard) 的可靠性和資料傳輸率。兩條產品線共包含六款涵蓋多個頻段的獨特功率放大器。
BST34系列之功率放大器是專門設計來取代現有3G砷化鎵(GaAs)RF功率放大器的簡易方案，因此功能與腳位與其完全相容。從砷化鎵轉移至CMOS可使行動裝置製造商獲益於更可靠的供應鏈、更高可靠性及更低成本。
BST35系列具備TruePower高效能功率檢測器，可提高總輻射功率(TRP)效能達2dB，並可在實際工作環境中降低掉話率，及提高數據傳輸速率。 BST3501是業界第一款將此功能帶入RF前端的晶片。該元件的效能指標可在輸出功率、線性度、效率和雜訊上達到、甚至超越砷化鎵功率放大器IC。
兩個系列的首款產品將於2月供貨，此次新品發表接續了Black Sand先前所進行之全球首款 3G CMOS 功率放大器展示。
Black Sand執行長John Diehl表示，其技術已經得到原始客戶和行動裝置營運業者的強大正面反應。特別是，BST35可協助智慧型手機和數據卡公司達成其工業設計目標，並在實際操作環境提供卓越的TRP效能，確保更少的掉話和更快的資料傳輸速度，而不需額外的eBOM零組件或成本。
Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示，行動裝置製造商正在尋找一項可替代砷化鎵功率放大器的技術，因該技術長久以來具有供應短缺和更高成本結構的問題。 BST34和BST35產品讓客戶能迅速獲得其所需要的 PA技術，以進行超高量能製造。
Jim Nohrden接著表示，其擁有大於所有現有GaAs功率放大器供應商之結合的策略性供應基礎，隨著市場持續採用3G行動裝置，這項優勢將被證明是至關重要的，因為其PA數量是2G手機的二至三倍。產品將為客戶帶來更高效能，並於2011年提供更可靠的供應來源。
Black Sand網址：www.blacksand.com