隨著智慧型手機使用率增長，設計人員面臨增加整體設計功能，但又須縮小體積和減少元件數的挑戰。快捷(Fairchild)因此開發出FDZ3N513ZT，結合N溝道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和肖特基二極體，面積為1毫米(mm)×1mm，以配合客戶需求和發展趨勢。
隨著智慧型手機使用率增長，設計人員面臨增加整體設計功能，但又須縮小體積和減少元件數的挑戰。快捷(Fairchild)因此開發出FDZ3N513ZT，結合N溝道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和肖特基二極體，面積為1毫米(mm)×1mm，以配合客戶需求和發展趨勢。
FDZ3N513ZT是升壓轉換器中的主要元件，用來驅動串聯白光發光二極體背光源(LED)，提供智慧型手機的顯示螢幕(以及按鍵，如果有鍵盤的話)照明。該解決方案將各種動態特性最佳化，降低開關損耗，提高手機應用的轉換效率，並延長電池使用時間。
FDZ3N513ZT結合30伏特(V)整合式 N溝道MOSFET 和肖特基二極體，具有低輸入電容(典型值45pF)和整體閘極電荷(1nC)，以提高升壓轉換器設計的效率。此外，FDZ3N513ZT採用1mm×1mm晶圓級尺度封裝(WLCSP)，與採用1.6mm×1.6mm封裝的元件相比，可節省60%的電路板占位空間。
快捷擁有客製化的類比與功率網路通訊協定(IP)產品組合。FDZ3N513ZT是快捷MOSFET系列的一部分，能滿足業界對緊凑、扁平的高性能MOSFET，關於充電、負載開關、直流對直流(DC-DC)和升壓應用方面的需求。
快捷網址：www.fairchildsemi.com