法國微電子研究機構CEA-Leti與意法半導體(ST)攜手展示了一個基於28奈米超薄體以及下埋氧化層(UTBB)完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術的超寬電壓範圍數位訊號處理器(DSP)。
法國微電子研究機構CEA-Leti與意法半導體(ST)攜手展示了一個基於28奈米超薄體以及下埋氧化層(UTBB)完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術的超寬電壓範圍數位訊號處理器(DSP)。
意法半導體設計支援服務部執行副總裁Philippe Magarshack表示，超薄體以及下埋氧化層FD-SOI技術是意法半導體的速度更快、散熱更小、更簡單的解決方案，在性能和節能方面取得巨大進步，同時盡量減少了對現有設計和製造方法的調整和改變。本次展出的數位訊號處理器證明，FD-SOI在如何使用能效更高的直至10奈米的晶片設計更好的可攜式電池供電產品方面開創出一條新路。
該元件由意法半導體採用28奈米超薄體以及下埋氧化層的FD-SOI製程，基底電壓(Body-bias-voltage)調壓範圍0伏特(V)至2伏特，可降低電路最低工作電壓，在400毫伏特(mV)時支援460MHz時鐘頻率(Clock-frequency)。
Leti部門副總裁暨設計和嵌入式系統平台業務主管Thierry Collette表示，開發能夠充分發揮技術性能和能效優勢的先進設計方法，然後再利用這些方法設計最終適用於物聯網終端產品的專用元件，做為技術創新與上游工業之間的橋樑，Leti在這個過程中扮演著重要角色。
意法半導體網址：www.st.com