瑞薩電子 DDR5 記憶體模組 AI HPC

瑞薩推出第二代DDR5 MRDIMM記憶體介面晶片組方案

2024-11-25
瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布針對第二代DDR5多重存取雙列直插記憶體模組(Multi-Capacity Rank Dual In-Line Memory Modules, MRDIMM),提供業界首款完整的記憶體介面晶片組解決方案。

新款DDR5 MRDIMM需要跟上人工智慧(AI)、高效能運算(HPC)和其他資料中心應用中不斷提高的記憶體頻寬需求。運作速度高達每秒12,800百萬傳輸(MT/s),與第一代解決方案相比,記憶體頻寬提高了1.35倍。瑞薩與CPU和記憶體供應商等業者以及終端客戶合作,在新款MRDIMM的設計、開發和部署方面發揮了重要作用。

瑞薩設計並實作了三個新的關鍵元件:RRG50120第二代多工暫存時脈驅動器(MRCD)、RRG51020第二代多工資料緩衝器(MDB)和RRG53220第二代電源管理IC(PMIC)。瑞薩亦提供量產的溫度感測器(TS)和串列存在檢測(SPD)集線器解決方案,使其成為目前唯一可以為下一代產業標準MRDIMM提供完整晶片組解決方案的記憶體介面公司,也支援其他各種伺服器和客戶端DIMM。

Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示,由於人工智慧和高效能運算應用的發展,對高效能系統的需求是很強烈的。瑞薩提供的技術知識和生產能力可滿足前所未有的需求。

瑞薩的RRG50120第二代MRCD用於MRDIMM,以緩衝命令地址(CA)匯流排、晶片選擇以及主機控制器和DRAM之間的時脈。與第一代元件相比,功耗降低了45%,而這正是超高速系統中針對熱管理的關鍵規格。RRG51020第二代MDB是MRDIMM中使用的另一個關鍵元件,用於將資料從主機CPU緩衝到DRAM。瑞薩新MRCD和MDB均支援最高12.8 Gbps的速度。此外,瑞薩的RRG53220下一代PMIC提供業界最佳的電氣過應力保護和卓越的電源效率,並針對大電流和低電壓運作進行了最佳化。

瑞薩目前已提供RRG50120 MRCD、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC的樣品,新產品預計於2025年上半年量產。

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