飛索(Spansion)宣布計畫開發下一代數據儲存產品系列MirrorBit ORNAND架構。以公司專有電荷捕獲儲存技術(Charge Trapping Stroage Technology)的新型MirrorBit ORNAND2架構為基礎，將在連接於NAND儲存器陣列中採用類似矽氧化氮氧化矽(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon, SONOS)的45奈米儲存單元，具有快速寫入和高封裝密度的特點，將NAND技術性能和成本優勢與300毫米晶圓的成本結構優勢發揮到極致。
飛索(Spansion)宣布計畫開發下一代數據儲存產品系列MirrorBit ORNAND架構。以公司專有電荷捕獲儲存技術(Charge Trapping Stroage Technology)的新型MirrorBit ORNAND2架構為基礎，將在連接於NAND儲存器陣列中採用類似矽氧化氮氧化矽(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon, SONOS)的45奈米儲存單元，具有快速寫入和高封裝密度的特點，將NAND技術性能和成本優勢與300毫米晶圓的成本結構優勢發揮到極致。
以新型架構為基礎的產品主要針對整合快閃記憶體市場中的數據儲存應用領域，該市場的客戶注重差異化、高價值解決方案。新架構將透過45奈米系列解決方案擴大現有MirrorBit ORNAND產品系列，與該公司65奈米的MirrorBit ORNAND產品相比，不但能將遮罩層(Mask Layers)減少25%，品質也優於浮動閘門(Floating Gate)NAND解決方案。MirrorBit ORNAND2產品預計將於2009年初推入市場。
新架構以飛索專有MirrorBit技術為基礎，目前採用MirrorBit技術的解決方案總銷售額達20億美元，占整體NOR快閃記憶體市場的22%。透過採用通用的技術平台和利用40奈米以下的MirrorBit技術具有可擴展性優勢，在同一晶圓廠中可實現MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2產品的高效生產。
飛索正利用其在專有MirrorBit技術應用的過程中所累積的經驗為MirrorBit ORNAND2技術開發專有的類似SONOS的儲存單元。不同於之前業界生產商試圖開發商用化SONOS儲存單元而未能成功的情況，飛索相信透過架構性的革新和已獲證明的生產技術相結合的獨特方法，必能實現最佳性能並加快生產速度。
飛索網址：www.spansion.com