電源轉換產品在我們的日常生活中無所不在，各類技術的演進也讓各種輕薄短小的電源轉換產品得以實現。然而，就功率元件材料而言，矽材料的發展已接近其物理極限，讓市場更加看好寬能隙材料的應用前景。全球半導體領導廠商英飛凌旗下氮化鎵功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列憑藉其高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等優勢，榮獲 2019年度Computex BC Award 類別獎。同時，英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件，涵蓋矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)材料且具有良好市場地位的全方位供應商。
英飛凌CoolGaN e-mode HEMT 採用常閉式( norm-OFF) 概念，不僅讓設計人員容易導入，同時也實現快速開通和關斷。CoolGaN 開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，能夠進而大幅提高系統工作頻率，從而透過縮小儲能及能量轉換元件的總體尺寸，提高功率密度，在相同能效下的功率密度可達140 W / in3(3 kW LLC，效率 > 98％)，在相同的轉換系統尺寸中達到幾乎三倍的輸出功率，換言之，可節省更多空間。CoolGaN e-mode HEMT 支援高頻運行的應用，包括：企業與資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器和無線充電設施等。
英飛凌是唯一擁有自身完整價值鏈的供應商 – 從製造、品質管理乃至系統設計支援。在CoolGaN的品質管理流程中，不僅對產品本身做測試，還包括產品於應用中特性表現的測試。此外，CoolGaN 擁有高度的耐用性以 100 ppm (百萬分之一) 的失效率來看，預估零件使用壽命約為 55 年，超越預期壽命40年，是市面上最可靠且通過全球認證的 GaN 解決方案之一。