ST發表突破性功率封裝

此高度1毫米的新型表面黏著封裝，將TO-220工業標準晶片尺寸置於面積僅8×8毫米的無針腳封裝內，並具備裸露的金屬汲極接墊，可有效排除內部產生的高溫。其精巧的體積可讓設計人員設計出更輕薄的電源供應器外殼，滿足現今市場對輕巧時尚新產品的需求。目前已經有兩家公司採用此新標準：意法半導體和英飛凌(Infineon)將推出採用此創新封裝方式的MOSFET，分別命名為PowerFLAT 8×8 HV(意法半導體)和ThinPAK 8x8(英飛凌)，為顧客提供高品質的產品選擇。  

新封裝的輕薄外型和優異的散熱性能，結合意法半導體MDmesh V技術無可比擬的超低單位裸片面積導通電阻RDS(ON)，可大幅提高功率元件的功率密度和可靠性，並節省印刷電路板空間，意法半導體在現有的MDmesh V 産品陣容內加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，650V STL21N65M5為該系列推出的首款產品。  

意法半導體功率電晶體産品部行銷總監Maurizio Giudice表示，這項新開發的高性能封裝技術證明我們與英飛淩的合作成績斐然，使我們的客戶可以獲得先進應用設計和全球兩大功率半導體廠支援晶片封裝。這項具有突破性的封裝技術結合意法半導體獨有、業界最先進的MDmesh V製程，我們的全新MOSFET產品將提供同等級額定電壓産品中最高的功率密度和效能。  

意法半導體網址：www.st.com。