全球半導體產業及CMOS影像技術廠商意法半導體(ST)，與全球工程基板供應商Soitec，宣布雙方共同簽署一項獨家合作協議，根據此協議，兩家公司將合作開發300微米晶圓級背光技術，為消費性電子產品打造新一代影像感測器。
全球半導體產業及CMOS影像技術廠商意法半導體(ST)，與全球工程基板供應商Soitec，宣布雙方共同簽署一項獨家合作協議，根據此協議，兩家公司將合作開發300微米晶圓級背光技術，為消費性電子產品打造新一代影像感測器。
隨著先進影像感測技術解析度的不斷提升，及市場對縮減相機模組整體尺寸的迫切需求，尤其是消費性電子市場，廠商急需開發單位畫素尺寸更小，同時還能保持畫素靈敏度及高畫質的影像技術，而背光技術將是新一代影像感測器開發過程中的關鍵要素。
兩家公司此次簽署的合作內容包括，Soitec授權意法半導體在300微米晶圓上，使用Smart Stacking接合技術製造背光感測器，該技術由Soitec的Tracit事業部門，運用分子接合技術和機械與化學薄化技術開發而成，意法半導體將運用此技術及本身的先進65奈米以下衍生性CMOS製程技術，開發新一代影像感測器，並在位於法國南部Crolles的300微米晶圓製造廠生產，結合意法半導體先進的晶圓製造能力。
意法半導體網址：www.st.com
Soitec網址：www.soitec.com