意法半導體(ST)宣布量產能夠簡化高效功率轉換系統設計之增強型PowerGaN HEMT(高電子遷移率電晶體)元件。STPOWER GaN電晶體提升了牆插電源轉接器、充電器、照明系統、工業電源、再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。
該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL和SGT65R65AL皆為工業級650V常閉G-HEMT電晶體，採用PowerFLAT 5×6 HV貼面封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通阻抗(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的總閘極電荷和低寄生電容能確保電晶體具有最小的導通/關斷能量損耗。開爾文源極腳位可以優化閘極驅動。除了減小電源和轉接器的尺寸和重量外，兩款新GaN電晶體還能達到更高的效能、更低的作業溫度和提供更長的使用壽命。
在接下來的幾個月裡，意法半導體還將推出新款PowerGaN產品，即車規元件，以及提供更多功率封裝形式的選擇，包括PowerFLAT 8×8 DSC和LFPAK 12×12大功率封裝。
意法半導體的G-HEMT元件將加速功率轉換系統轉向GaN寬能隙技術過渡期。GaN電晶體的擊穿電壓和導通阻抗RDS(on)與矽基電晶體相同，而總閘極電荷和寄生電容更低，且無反向恢復電荷。這些特性提升了電晶體的效能和開關的性能，可以用更小的被動元件達到更高的開關頻率，以及提升功率密度。因此應用裝置可以變得更小，性能更高。未來，GaN還有望實現新的功率轉換拓撲結構，進一步提升效能，並降低功耗。
意法半導體PowerGaN離散元件的產能充足，能夠支援客戶快速量產需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL現已上市，兩者皆採用PowerFLAT 5×6 HV封裝。