Diodes新推出的DMN3027LFG 30V N通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)作為開關使用，確保在可編程閘陣列(FPGA)電源軌上使用的大型大容量電容器能夠快速及安全放電。電信設備、伺服器和資料中心內的最新FPGA具有多個需要正確排序的電源軌，為系統提供安全的開關電源。高可靠性直流－直流電源的設計師利用這個Diodes的新MOSFET，就可快速及輕易實現該目標。
Diodes新推出的DMN3027LFG 30V N通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)作為開關使用，確保在可編程閘陣列(FPGA)電源軌上使用的大型大容量電容器能夠快速及安全放電。電信設備、伺服器和資料中心內的最新FPGA具有多個需要正確排序的電源軌，為系統提供安全的開關電源。高可靠性直流－直流電源的設計師利用這個Diodes的新MOSFET，就可快速及輕易實現該目標。
DMN3027LFG在4.5V電壓下提供26毫歐姆(mΩ)的低導通電阻，足以使15mF的電容器在少於10毫秒的時間內放電。同時該導通電阻又不會低至大幅提高電流峰值，繼而導致電磁干擾或增加瞬態熱應力，最終有可能使MOSFET或電容器組受損。在FPGA低壓電軌達到典型的1V時，電流會被安全操作區特定的MOSFET通道電阻所限制。該安全操作區的環境溫度為+60°C，以最少的散熱片支援一般應用狀況，從而在少於10毫秒的時間內安全處理高達20A的峰值電流。
Diodes網址:www.diodes.com