艾薩(LSI)於美國加州Santa Clara會議中心舉辦的Flash Memory Summit中展示最新的LSI SandForce快閃記憶體控制器創新技術。
艾薩(LSI)於美國加州Santa Clara會議中心舉辦的Flash Memory Summit中展示最新的LSI SandForce快閃記憶體控制器創新技術。
LSI快閃記憶體元件部門副總裁暨總經理Huibert Verhoeven表示，現今製程技術愈加微縮，以不斷提升儲存型(NAND)快閃記憶體的價值，並促使快閃記憶體儲存的普及，隨之而來的是較低的可靠度和較短的使用週期。LSI SHIELD技術可針對固態硬碟(SSD)最佳化的先進錯誤校正功能來協助解決這些挑戰，並將最新的NAND快閃記憶體轉換成為更堅固耐用的儲存解決方案。
LSI SHIELD技術可提供企業級SSD的耐用性和資料完整性，甚至當企業使用較便宜但錯誤率較高的快閃記憶體時，也可擁有同樣效益。SHIELD技術可將低密度奇偶校正(Low-Density Parity-check, LDPC)碼和數位訊號處理(Digital Signal Pocessing, DSP)功能內建於新一代的SandForce快閃記憶體控制器中。此外，這項技術更結合了語言訊號的直接解調(Hard Decision)、逐漸解調(Soft Decision)方法及數位訊號處理，可提供最佳化解決方案給擁有全面錯誤校正碼(Error Correction Code, ECC)的快閃記憶體。
LSI網址：www.lsi.com