意法半導體(ST)宣布，意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術獲電子工程專輯和電子技術設計的2013年度電子成就獎(ACE)能源技術獎。電子成就獎旨在於表彰那些改變電子世界和影響人們工作、生活和娛樂方式的技術產品的人和企業。
意法半導體(ST)宣布，意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術獲電子工程專輯和電子技術設計的2013年度電子成就獎(ACE)能源技術獎。電子成就獎旨在於表彰那些改變電子世界和影響人們工作、生活和娛樂方式的技術產品的人和企業。
意法半導體數位娛樂產品事業部前端製造＆製程研發執行副總裁Joel Hartmann表示，榮獲能源技術獎證明FD-SOI是一個能夠同時滿足低功耗和高性能需求的突破性技術，使晶片廠商能夠提供滿足每瓦性能和每美元每瓦性能雙重標準的產品。
FD-SOI製程是28奈米及以下技術節點的傳統半導體製程的升級換代技術，此項技術的優點是速度更快、製造更簡單、功耗更低，現正準備投產。FD-SOI榮獲能源技術獎是因為此項技術能夠在兩個不同方面降低二氧化碳的排放量。首先，FD-SOI晶片製程較傳統互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程節省15%的步驟，可直接評估單位晶片製造能耗節省效果。更重要的是，根據客戶的節能與性能權衡策略，FD-SOI晶片本身可節約20～50%的能耗，使終端設備可更快散熱，並實現更長的使用壽命。
意法半導體網址：www.st.com