意法半導體(ST)新推出之新超接面STPOWER MDmesh K6系列強化幾個關鍵參數，以降低系統的功率損失。特別適合返馳式拓撲為基礎的照明應用，例如LED驅動器、HID燈，或是適用於電源適配器和平板顯示器的電源。
意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列為這種超接面技術樹立兼具高性能和易用性的標準。MDmesh K6的導通阻抗x晶片面積參數優於市面上現有800V產品，能夠實現結合高功率密度並領先市場效能的緊密全新設計。
此外，K6系列的閘極臨界值電壓相較上一代MDmesh K5更低，可使用更低的驅動電壓，進而降低功耗並提升效能，主要用於待機零功耗的應用。總閘極電荷(Qg)極低，以實現高開關速度和低損耗。晶片上結合一個ESD保護二極體，將MOSFET的整體耐用性提升到人體放電模型(Human Body Model, HBM)2級。採用TO-220通孔封裝的STP80N240K6(RDS(on)max＝0.22Ω; Qgtyp＝25.9Nc)是首批量產的MDmesh K6 MOSFET。
意法半導體將於2022年前推出MDmesh K6的完整產品組合，將產品導通電阻的範圍從0.22Ω擴大至4.5Ω，並增加一系列封裝選擇，包括SMD和通孔包裝。