英飛凌(Infineon)推出新一代碳化矽(SiC)MOSFET溝槽式技術，與上一代產品相比，全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V Generation 2技術在確保品質和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。
CoolSiC MOSFET Generation 2(G2)技術繼續發揮碳化矽的性能優勢，透過降低能量損耗來提高電源轉換過程中的效率。這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來優勢。與前幾代產品相比，採用CoolSiC G2的電動車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗，並且在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率。基於CoolSiC G2元件的牽引逆變器可進一步增加電動車的續航里程。在再生能源領域，採用CoolSiC G2的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，進而降低每瓦成本。
英飛凌零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer博士表示，目前的大趨勢是採用高效的新方式來產生、傳輸和消耗能源。英飛凌憑藉CoolSiC MOSFET G2將碳化矽的性能提升到了新的水準。新一代碳化矽技術使廠商能夠更快地設計出成本更低、結構更精簡、性能更可靠，且效率更高的系統，在實現節能的同時減少現場的每瓦二氧化碳排放。
英飛凌的CoolSiC MOSFET溝槽式技術推動了高性能CoolSiC G2解決方案的發展，實現了更加優化的設計選擇，與目前的SiC MOSFET技術相比，具有更高的效率和可靠性。結合屢獲殊榮的.XT封裝技術，英飛凌以更高的導熱性、更優的封裝控制以及更出色的性能，進一步提升了基於CoolSiC G2的設計潛力。
英飛凌掌握了矽、碳化矽和氮化鎵(GaN)領域的關鍵功率技術，可提供靈活的設計和領先的應用知識，滿足現代設計的期待和需求。在推動低碳化的過程中，基於碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料的創新半導體已成為能源高效利用的關鍵。