意法半導體(STMicroelectronics)進一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切換性能和效率，功率MOSET被用於安定器及開關電源的功率因數校正器(PFC)和半橋電路內。SuperMESH3的創新技術，結合更低導通電阻，確保其擁有更高效率。此外，配合其優異dv/dt性能，更高擊穿電壓極限，將大幅地提高新產品的可靠性和安全性。
意法半導體(STMicroelectronics)進一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切換性能和效率，功率MOSET被用於安定器及開關電源的功率因數校正器(PFC)和半橋電路內。SuperMESH3的創新技術，結合更低導通電阻，確保其擁有更高效率。此外，配合其優異dv/dt性能，更高擊穿電壓極限，將大幅地提高新產品的可靠性和安全性。
620伏特的STx6N62K3是新推出SuperMESH3系列的首款產品，隨後還將推出620伏特的STx3N62K3和525伏特的STx7N52K3和STx6N52K3。利用SuperMESH3技術可降低導通電阻優點，在620伏特電壓下，DPAK封裝的STD6N62K3把導通電阻RDS(On)降低到1.28歐姆；在525伏特電壓下，STD7N52K3把導通電阻RDS(On)降低到0.98歐姆，進而提高節能燈安定器等照明應用的工作效率。新技術還能降低反向恢復時間(Trr)、閘極電荷量和原生電容，可提升切換性能和工作頻率。
結合最佳化垂直架構和帶狀布局，為意法半導體SuperMESH3技術增添具有同類產品中最出色dv/dt特性，該特性可讓照明系統和消費電子設備具更高可靠性和安全性。為提供全方位耐用，SuperMESH3元件全都經過100%的雪崩測試，並整合齊納二極體保護功能。在快速反向恢復時間和高壓技術中，SuperMESH3的單位面積導通電阻最小，受益於這項技術，STx6N62K3、STx7N52K3、STx3N62K3和STx6N52K3可採用比同等級產品尺寸更小封裝，如DPAK。如此可節省其占用面積和電路板空間。同時，在切換和散熱性能方面，還能與尺寸更大的產品相媲美。
2.5歐姆的STx3N62K3將採用IPAK、DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封裝。0.98歐姆的STx7N52K3將採用DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封裝，1.2歐姆的STx6N52K3將採用DPAK和TO-220FP封裝。這些產品將使620伏特和525伏特系列的SuperMESH3產品組合更為豐富，新產品預計於2008年第四季量產。
意法半導體網址：www.st.com