以低頻切換MOSFET的應用中，高功率產品設計必須符合幾個關鍵特性：包括減少導通損耗、提供最佳熱行為，實現小體積輕量化系統，並且保持經濟成本的最高品質。為符合上述需求，英飛凌(infineon)針對靜態切換應用，在600 V CoolMOS S7系列中新增兩款最佳化裝置，分別是工業級CoolMOS S7 10 mΩ 以及車規級CoolMOS S7A。
CoolMOS S7 10 mΩ 具有較小的600 V超接面MOSFET導通電阻(RDS(on))，適用於現有固態繼電器(SSR)等對最小傳導耗損要求極為嚴格的應用領域。相較之下，車規級CoolMOS S7A可滿足固態斷路器(SSCB)和二極體並聯/替換所設定的系統效能要求，適用於高電壓(HV)eFUSE、HV eDisconnect電池斷路開關以及車載充電器等高功率/效能設計的汽車應用。
此系列產品係基於知名CoolMOS 7技術平台最佳化所獲得的開發成果。特別針對靜態切換和大電流應用，強化裝置效能。因此，新裝置不僅符合最高品質標準，並擁有最佳性價比，同時注重傳導效能、能源效率、功率密度及改善熱阻等特性。
CoolMOS S7 10 mΩ 和CoolMOS S7A晶片具備同級產品中最小的RDS(on)，最實惠的單位面積RDS(on)價格(RDS(on)x A x cost)。此外，產品採用創新的頂層冷卻(TSC)QDPAK SMD封裝，具有絕佳的熱行為，可取代THD裝置(如TO-247)並且更省空間。以QDPAK的表面黏著裝置代替THD，占高可減少94%，進而可增加功率密度。利用CoolMOS S7 10 mΩ 和CoolMOS S7A的低導通損耗特性，可縮小散熱器尺寸達80%，在外型尺寸不變的前提下，可提高額定電流和電壓值。