意法半導體(ST)將兩項新的封裝技術應用到三個先進的高壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品，讓充電器、太陽能微逆變器和電腦電源等重視節能的設備變得更精巧、更穩健以及更可靠。
意法半導體(ST)將兩項新的封裝技術應用到三個先進的高壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品，讓充電器、太陽能微逆變器和電腦電源等重視節能的設備變得更精巧、更穩健以及更可靠。
意法半導體的PowerFLAT 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封裝擁有高達650伏特(V)和800V電壓執行所要求的隔離通道長度和間隙，而封裝面積與工業標準的100V PowerFLAT 5x6封裝的5毫米(mm)×6毫米相同，比主流的DPAK封裝縮小52%。此外，這兩個先進封裝僅有1毫米的厚度，配備一個裸露的大面積金屬汲極接墊(Metal Drain Pad)，透過印刷電路板上的散熱通孔最大幅度地散熱。
意法半導體目前推出了三款採用PowerFLAT 5x6 HV封裝的650V MDmesh V MOSFET產品，並推出了四款額定電壓極高、採用PowerFLAT 5x6 VHV 800V封裝的SuperMESH 5 MOSFET。此外，意法半導體已開始提供兩款採用PowerFLAT 5x6 HV封裝的600V快速開關MDmesh II Plus low Qg MOSFET測試樣品。
意法半導體網址：www.st.com