ST推出首款採用TO-247封裝車規MOSFET

在高電壓突波(High-voltage Spikes)的環境中，650V額定電壓能夠爲目標應用帶來更高的安全系數，有助於提高汽車電源和控制模組的可靠性。這兩款元件擁有極低的導通電阻，分別爲0.032歐姆(Ω)和0.049歐姆，結合精巧的TO-247封裝，可提高系統能效和功率密度。

意法半導體的MDmesh V超接面(Super-junction）技術是達成此一元件高效能的關鍵。此項技術可製造單位矽面積導通電阻RDS（ON）極低的高電壓元件，使晶片的封裝尺寸變得更小。閘電荷(Qg)和輸入電容也極低，因此，Qg x RDS（ON）品質因數(Figure of Merit, FOM)極其出色，並擁有高開關性能和能效。此外，其優異的抗雪崩(Avalanche)特性可確保元件在持續高電壓環境中擁有高耐用性。

意法半導體網址：www.st.com