意法半導體(STMicroelectronics, ST)新STGAP3S系列碳化矽(SiC)和IGBT功率開關閘極驅動器整合了最新之穩定的電隔離技術、最佳化的去飽和保護功能，以及靈活的米勒鉗位架構。
STGAP3S在閘極驅動通道與低壓控制和介面電路之間採用加強型電容隔離，能夠承受9.6V的瞬態隔離電壓(VIOTM)，以及200V/ns的共模瞬態抗擾度(Common-Mode Transient Immunity, CMTI)。透過採用電隔離技術，STGAP3S提升了空調、工廠自動化、家電等工業馬達驅動裝置的可靠性。新驅動器亦適用於電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正(PFC)、直流-直流轉換器和太陽能逆變器。
STGAP3S產品系列為開發者提供不同的產品型號選擇，其中包括驅動電流10A和6A的產品，兩者皆具有不同的欠壓鎖定(UVLO)和去飽和干預閾值，有助於設計者選擇最佳的元件，以搭配其所選之SiC MOSFET或IGBT功率開關的效能。
去飽和保護功能提供對外部功率開關二極體的超載和短路保護，透過使用外部電阻調整功率開關二極體的關斷策略，調整關斷速度以最大限度地提升保護功能，同時避免出現過多的過壓尖峰。欠壓鎖定保護可防止驅動電壓不足時導通。
驅動器整合的米勒鉗位架構為外部N通道MOSFET提供一個預驅動器。因此，設計者可以彈性地選擇適合的干預速度，以防止感應導通，並避免交叉導通。
現有的產品型號包括驅動能力10A和6A拉/灌電流的驅動器，針對IGBT或SiC最佳化的去飽和偵測和UVLO閾值，讓開發者所選的功率開關發揮極致性能。去飽和、UVLO和過熱保護的故障狀況可透過兩個專用的開漏診斷腳位通知控制器。