Transphorm宣布推出兩款採用4引腳TO-247封裝(TO-247-4L)的新型SuperGaN元件。新發布的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET元件分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。
新產品將採用Transphorm成熟的矽襯底氮化鎵製程，可靠性高且具有良好的成本效益，適合現有矽基生產線量產。目前，50毫歐TP65H050G4YS FET已可供貨，35毫歐TP65H035G4YS FET正在出樣，預計將於2024年一季度供貨上市。
一千瓦及以上功率級的資料中心、可再生能源和各種工業應用的電源中，Transphorm的4引腳SuperGaN元件可作為原始設計選項，也可直接替代現有方案中的4引腳矽基和SiC元件。4引腳配置能夠進一步提升開關性能，進而為使用者提供靈活性。在硬開關同步升壓型轉換器中，與導通電阻相當的SiC MOSFET相比，35毫歐SuperGaN 4引腳FET元件在50千赫茲(kHz)下，損耗減少了15%，而在100kHz下的損耗則降低了27%。
Transphorm 的 SuperGaN FET元件所具有的優勢包括：+/-20V柵極閾值和4V抗擾性、減少元件周邊所需電路，並且SuperGaN FET能使用矽元件所常用的市售驅動器。新發布的TO-247-4L 封裝元件具有相同的穩健性、易設計性和易驅動性。
Transphorm業務發展及市場行銷高級副總裁Philip Zuk表示，Transphorm將繼續拓展產品線，向市場推出多樣化的氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)。四引腳TO-247封裝的SuperGaN為設計人員和客戶帶來提供極佳的靈活性，只需要在矽或碳化矽元件的系統上做極少的設計修改(或者根本不需要進行任何設計修改)，就能實現更低的電源系統損耗。Transphorm正在加速進入更高功率的應用領域，新推出的這兩款元件是公司產品線的重要補充。