意法半導體(ST)推出最新1,200伏特(V)絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)，藉助第二代溝槽式場截止(Trench-gate Field-stop)高速技術提升太陽能逆變器、焊機(Welder)、不間斷電源和功率因數校正(Power-Factor Correction, PFC)轉換器的耐用性和能效。
意法半導體(ST)推出最新1,200伏特(V)絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)，藉助第二代溝槽式場截止(Trench-gate Field-stop)高速技術提升太陽能逆變器、焊機(Welder)、不間斷電源和功率因數校正(Power-Factor Correction, PFC)轉換器的耐用性和能效。
全新1,200伏特IGBT可降低15%的關機損耗和導通損耗，飽和電壓也減少至2.1伏特(在標準集極電流和100°C下的典型值)。此外，還提供整合高速恢復反平行二極體的選項，以協助開發人員最佳化硬開關(Hard-switching)電路的性能，使用飛輪二極體(Freewheel Diode)大幅降低開關電路的能源損耗。
新款IGBT當實際電流是標準電流的四倍時無鎖定(Latch-up-free)效應、僅有5微秒(μs)的短路時間(在150°C初始結溫時)、最大工作結溫擴大到175°C，有助延長產品的使用壽命，簡單化系統散熱設計。寬安全工作範圍(Safe Operating Area, SOA)則有效提升大功率應用的工作可靠性。
意法半導體網址：www.st.com