意法半導體(ST)推出九款全新汽車級功率MOSFET，進一步擴大STripFET VI DeepGAT功率金屬氧化物半導體場校電晶體(MOSFET)産品組合，為新一代汽車實現效能、尺寸及成本優勢。
意法半導體(ST)推出九款全新汽車級功率MOSFET，進一步擴大STripFET VI DeepGAT功率金屬氧化物半導體場校電晶體(MOSFET)産品組合，為新一代汽車實現效能、尺寸及成本優勢。
高能效電氣系統對於汽車製造商日益重要。從車窗升降機、雨刷、熱風鼓風機，到引擎控制模組、起動發電機、能源恢複系統，這些均由電氣系統管理，而混合動力汽車則更需要高效的能源管理系統，以最大幅度地延長汽車可開里程數。意法半導體的新款功率MOSFET能夠將電氣系統驅動器和控制器的正常功耗降至最低，進而提升電氣系統的效能，同時還可減少電路産生的熱量，實現尺寸更小、更輕的裝置設備。
全新符合AEC-Q101的30伏特(V)和40伏特功率元件系列採用意法半導體先進的STripFET VI DeepGATE技術，擁有極低的導通損耗(Conduction Loss)與有效晶片尺寸比。這兩款産品擁有3.0 毫歐(mΩ)～12.5毫歐的低導通損耗，採用工業標準DPAK或D2PAK兩種表面黏著功率封裝，只需用更小的電路板空間。
爲保證新産品達到汽車應用要求的可靠性和穩健性，根據AEC-Q101標準認證的測試條件，所有元件在晶圓製程和成品階段均經過100%雪崩測試(Avalanche)。除汽車設備以外，新系列産品還可提高其它應用的電源和驅動器能效。
意法半導體網址：www.st.com