英飛凌(Infineon)與格羅方德 (Globalfoundries)宣布共同開發並合作生產40奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術。這項合作案將著重於以英飛凌eFlash晶片設計為基礎的技術開發，以及採用40nm製程的車用微控制器及安全晶片的製造。新一代40nm eFlash 微控制器晶片將在格羅方德不同的據點生產，初期於新加坡，後續則將轉移到位於德國德勒斯登的廠房。
英飛凌(Infineon)與格羅方德 (Globalfoundries)宣布共同開發並合作生產40奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術。這項合作案將著重於以英飛凌eFlash晶片設計為基礎的技術開發，以及採用40nm製程的車用微控制器及安全晶片的製造。新一代40nm eFlash 微控制器晶片將在格羅方德不同的據點生產，初期於新加坡，後續則將轉移到位於德國德勒斯登的廠房。
英飛凌董事會成員Arunjai Mittal表示，採用40nm製程結構的新一代嵌入式快閃記憶體微控制器，將進一步提升英飛凌在汽車及晶片與安全防護市場的競爭優勢。公司相信格羅方德將以其優異的製造經驗以及分布於不同地區的據點，滿足英飛凌在品質、架構安全性和企業永續性等方面的嚴格需求。
這項與格羅方德的合作案符合英飛凌在65nm以下的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術採用共同技術研發的策略。安全晶片預計將於2015年下半年進行製程及產品驗證，汽車微控制器則預計於2017年上半年開始製造。
英飛凌網址：www.infineon.com