英飛凌(Infineon)推出6.5千伏(kV)功率模組，在單晶片上整合絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)與飛輪二極體(Freewheeling Diode)功能。新款RCDC(具備二極體控制功能的逆導IGBT)晶片，適用於現代化高速火車、高效能牽引式機械、未來的高壓直流(HVDC)電力傳輸系統，以及石油、天然氣與採礦等產業所使用的中電壓馬達。
英飛凌(Infineon)推出6.5千伏(kV)功率模組，在單晶片上整合絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)與飛輪二極體(Freewheeling Diode)功能。新款RCDC(具備二極體控制功能的逆導IGBT)晶片，適用於現代化高速火車、高效能牽引式機械、未來的高壓直流(HVDC)電力傳輸系統，以及石油、天然氣與採礦等產業所使用的中電壓馬達。
相較於之前相同尺寸的模組，RCDC技術將電流密度提高33%，並改善散熱效能，因此達成更長生命週期、更高可靠性，進而將所需維護減到最少。
運用RCDC技術，擴充其高效能IGBT的6.5kV KE3產品組合，在正向與反向電流方向皆建置功率更高的矽區塊，提高電流密度，讓設計人員能增加系統輸出功率，而不需擴大面積。功率密度提高效益，也可用來維持功率，同時減少IGBT數目，進而縮減系統尺寸、重量與成本。
RCDC解決方案提供IHV-A高絕緣封裝，採用業界標準尺寸，可直接替代現有應用，除達成更高功率密度外，將IGBT與二極體整合於單一晶片，也可大幅提高二極體I2t值，以及IGBT與二極體熱阻抗(Rth/Zth)，後者確保整個運作過程中理想散熱效能。更低的晶片溫度(Tvj)漣波，可延長運作壽命；使用閘極控制的選項，也可讓設計人員權衡取捨導通與切換損耗，以達成最高整體效率。
Infineon網址：www.infineon.com