意法半導體(ST)宣布其在28奈米FD-SOI技術平台的研發上又向前邁出一大步，即將在位於法國Crolles的12吋(300毫米(mm))晶圓廠導入該製程技術，這證明意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型(Planar Fully-depleted)技術的能力。
意法半導體(ST)宣布其在28奈米FD-SOI技術平台的研發上又向前邁出一大步，即將在位於法國Crolles的12吋(300毫米(mm))晶圓廠導入該製程技術，這證明意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型(Planar Fully-depleted)技術的能力。
意法半導體執行副總裁、數位娛樂事業部總經理暨技術長Jean-Marc Chery表示，與傳統製造技術相比，FD-SOI在性能和功耗方面具有明顯優勢，讓意法半導體能夠在28奈米技術節點創造高成本效益的工業解決方案。
在實現極其出色的繪圖、多媒體處理性能和高速寬頻連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器須具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28奈米技術的導入可解決這一挑戰，滿足多媒體和可攜式應用市場的需求。與傳統製造技術相比，FD-SOI技術可在大幅提升性能的同時大幅降低功耗，因此ST-Ericsson選則採用意法半導體的FD-SOI技術設計未來的行動平台。
意法半導體網址：www.st.com