宜普(EPC)宣布推出12V輸入、48V輸出、500W的DC/DC演示板(EPC9166)。該演示板展示出瑞薩電子ISL81807 80V兩相同步升壓控制器和宜普新一代EPC2218 eGaN FET，在開關頻率爲500kHz的12V輸入到48V穩壓輸出轉換中，效率超過96.5%。輸出電壓可配置為36V、48V和60V。該板在没有散熱器的情况下，可提供480W的功率。
穩壓DC/DC升壓轉換器廣泛用於數據中心、計算和汽車應用，在其他輸出電壓中，將額定的12V轉換爲48V的配電總線，朝著實現更高功率密度的主要趨勢發展。
eGaN場效應電晶體具有快速開關、高效率和小尺寸等優勢，可以滿足這些前端應用對功率密度的嚴格要求。EPC2218是市場上較小、效率較高的100V的FET。ISL81807是整合GaN驅動器的80V雙路輸出/兩相(單輸出)同步降壓控制器，可支援頻率達2MHz。ISL81807採用電流模式控制，產生兩個獨立的輸出或一個具有兩個交錯相位的輸出。它支持電流共享，同步並聯更多的控制器/更多的相位，提高輕負載的效率和低關斷電流。ISL81807直接驅動EPC氮化鎵場效應電晶體，實現設計簡單、元件數量少和低成本的解決方案。
宜普公司首席執行長Alex Lidow表示，瑞薩電子的控制器IC讓工程師更容易使用氮化鎵元件。宜普很高興與瑞薩電子合作，整合其控制器與宜普的高性能氮化鎵元件，爲客戶提供採用少量元件的解決方案，以提高效率、增加功率密度並降低系統成本。
瑞薩電子移動、工業和基礎設施電源部門副總裁Andrew Cowell表示，瑞薩電子的ISL81807旨在高功率密度解決方案中，充分發揮GaN FET的高性能。ISL81807降低GaN解決方案的BOM成本，因爲它不需要MCU、電流感應運算放大器、外部驅動器或偏置電源。它還具有完全保護功能並整合GaN驅動器。有了ISL81807，使用氮化鎵場效應電晶體的設計就像使用矽基場效應電晶體一樣簡單。