科林研發(Lam Research)推出了Lam Cryo 3.0，為該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術。隨著生成式人工智慧(AI)的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0為未來先進3D NAND的製造提供了至關重要的蝕刻能力。Lam Cryo 3.0利用超低溫、高功率局限電漿反應器技術和創新的表面化學製程，以優秀的精度和輪廓控制進行蝕刻。
科林研發全球產品事業群資深副總裁Sesha Varadarajan表示，Lam Cryo 3.0為客戶邁向1,000層3D NAND奠定基礎。該公司已經使用科林研發低溫蝕刻製造了五百萬片晶圓，這項最新技術是3D NAND生產領域的突破。它以埃米級精度建立高深寬比(HAR)特徵，同時對環境造成更低的影響，且蝕刻速率是傳統介電層製程的兩倍以上。Lam Cryo 3.0是科林研發的客戶在人工智慧時代突破NAND關鍵製造挑戰所需的蝕刻技術。
迄今為止，3D NAND主要透過儲存單元的垂直層堆疊取得進展，這是透過蝕刻深而窄的HAR儲存通道實現的。蝕刻輪廓的極小原子級誤差可能會對晶片的電效能產生負面影響，並可能影響良率。經過最佳化的Lam Cryo 3.0，可解決上述提及和其他微縮方面的蝕刻挑戰。
Counterpoint Research聯合創辦人暨研究副總裁Neil Shah表示，人工智慧正在推升雲端和邊緣的快閃記憶體容量和效能的大量需求。促使晶片製造商擴大NAND快閃記憶體的規模，力爭在2030年底前實現1,000層3D NAND。Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術是突破傳統技術的大躍進。它以近乎完美的精度和控制來蝕刻深寬比50倍以上的儲存通道，實現小於0.1%的蝕刻輪廓誤差。這一突破顯著提高了先進3D NAND的良率和整體效能，使晶片製造商能夠在人工智慧時代保持良好的競爭力。
Lam Cryo 3.0利用該公司獨特的高功率局限電漿反應器、製程改善和遠低於-0oC的溫度，進而利用新型蝕刻化學製程。與科林研發最新的Vantex介電層系統的可擴展脈衝電漿技術結合時，蝕刻深度和輪廓控制顯著增加。使用Lam Cryo 3.0技術，3D NAND製造商可以蝕刻深度達10微米的儲存通道，從頂部到底部的關鍵尺寸誤差小於0.1%(輪廓誤差透過最大臨界尺寸減去最小臨界尺寸除以記憶體通道深度計算得出)。
其他亮點包括：
卓越的生產力：與傳統介電層製程相比，Lam Cryo 3.0的蝕刻速度提高了兩倍半，具有更好的每片晶圓再現性，幫助3D NAND製造商以更低的成本實現高良率。
更強的永續性：與傳統蝕刻製程相比，Lam Cryo使每片晶圓的耗能降低40%，且降低碳排放量達90%。
最大化設備投資：為了實現最佳輪廓控制和最快、最深的介電層蝕刻，Lam Cryo 3.0可以整合到科林研發最新的Vantex系統中。它還與該公司的Flex HAR介電層蝕刻產品組合相容，目前主要記憶體製造商均使用該產品進行大規模的3D NAND生產。
科林研發於2019年將全球首款低溫蝕刻產品投入量產。如今，在NAND生產中使用的超過7,500個科林研發HAR介電層蝕刻腔體中，已有近1,000個使用低溫蝕刻技術。