為了滿足AI伺服器和電信領域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩健的線性工作模式和較低的RDS(on) 。英飛凌科技推出的新型OptiMOS 5 Linear FET 2解決了這一難題。這款MOSFET專為實現溝槽式MOSFET的RDS(on)與經典平面MOSFET的寬安全工作區(SOA)之間的理想平衡而設計。
該半導體元件透過限制高浪湧電流防止對負載造成損害，並因其低RDS(on)而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產品OptiMOS Linear FET相比，OptiMOS Linear FET 2改善了高溫下的SOA、降低了閘極漏電流，並擴大了封裝選擇範圍。這使每個控制器可以並聯更多的MOSFET，不僅降低了物料(BOM)成本，還透過擴展產品組合為設計帶來了更大的靈活性。
100 V OptiMOS Linear FET 2採用TO-leadless封裝(TOLL)。與RDS(on)相近的標準OptiMOS 5相比，該元件在10 ms、54 V時的SOA高出12倍，在100 µs時的SOA高出3.5倍。後一項改進對於電池管理系統(BMS)在短路情況下進行電池保護尤為重要。在短路情況下，保障系統設計和可靠性的關鍵在於並聯MOSFET之間的電流分配。OptiMOS 5 Linear FET 2透過最佳化傳輸特性改進了電流分配。憑藉寬SOA和經過改進的電流分流，在元件數量由短路電流要求決定的設計中，元件數量最多可減少60%。這實現了高功率密度、高效率且高度可靠的電池保護，可被廣泛用於電動工具、電動自行車、電動摩托車、堆高機、電池備用電源、純電動汽車等領域。