2011年1月19日，第三十五億個CoolMOS高壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)於奧地利菲拉赫(Villach)的生產線上誕生，成就英飛凌(Infineon)成為全球最頂尖的500～900伏特電晶體供應商。持續改善晶片架構，確保CoolMOS電晶體技術不斷地最佳化，讓英飛凌得以邁向成功之路。
2011年1月19日，第三十五億個CoolMOS高壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)於奧地利菲拉赫(Villach)的生產線上誕生，成就英飛凌(Infineon)成為全球最頂尖的500～900伏特電晶體供應商。持續改善晶片架構，確保CoolMOS電晶體技術不斷地最佳化，讓英飛凌得以邁向成功之路。
在電晶體被發明的55年後，英飛凌以其革命性的CoolMOS電晶體技術，獲頒2002年的德國工業創新獎。高壓電晶體已在各式應用領域不斷提昇能源效率，如PC電源供應器、伺服器、太陽能變頻器、照明與電信電源供應器。這些節能晶片也成為消費性電子的主要元件，如平面電視和遊樂器。
如何有效率地使用能源並節約能源，已成為所有用電產業與家庭應用的必備關鍵。英飛凌的能源效率半導體解決方案可節省高達25%的全球電力消耗。舉例而言，使用CoolMOS晶片，讓伺服器板的所需電力減少約30瓦。如果以全球各地大約六千萬架伺服器來計算，節省的能源將高達18億瓦，相當於一整座核能發電廠的供電量。
英飛凌電源管理與分離式元件部門副總裁暨總經理Andreas Urschitz表示，其持續開發CoolMOS電晶體技術，追求最高的效率，為客戶提供顯著的競爭優勢。為後代子孫的資源永續保護，做出關鍵性的貢獻。在高雄足球場的太陽能系統便是成功部署CoolMOS技術的最佳範例之一。太陽能變頻器中的CoolMOS晶片可確保能源效率達到最佳等級。也因此，這座太陽能發電廠可產生110萬千瓦小時的電力，每年可節省660噸的二氧化碳。
英飛凌目前正推出新一代，具備重要創新的高壓CoolMOS MOSFET產品。全新650V CoolMOS CFD2，是業界首款具備650伏特漏源電壓與整合式快速回復特性等效二極體的高壓電晶體。其更為出色的軟性換流行為以及更優異的電磁干擾(EMI)表現，為產品打造絕佳的競爭優勢。
CoolMOS CFD 2 650伏特產品系列提供高速切換超接面MOSFET的所有優點，如更佳的輕負載效率、降低閘端電荷、易於建置，以及卓越的可靠性。英飛凌預期此電晶體在太陽能變頻器、伺服器、發光二極體(LED)照明與電信設備領域將有極佳的市場潛力。
英飛凌網址：www.infineon.com